【編者按】小型封裝內置第4代SiC MOSFET，實現業界超高功率密度，助力xEV逆變器實現小型化!全球知名半導體制造商ROHM(總部位於日本京都市)面向300kW...

小型封裝內置第4代SiC MOSFET，實現業界超高功率密度，助力xEV逆變器實現小型化!

全球知名半導體制造商ROHM(總部位於日本京都市)面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器，開發出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack?”，共4款產品(750V 2個型號：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2個型號：BSTxxxD12P4A1x1)。TRCDRIVE pack?的功率密度高，並採用ROHM自有的引腳排列方式，有助於解決牽引逆變器面臨的小型化、效率提升和減少工時等主要課題。

近年來，在致力於實現無碳社會的進程中，汽車的電動化發展迅速，這促進了更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統的開發。另一方面，作爲關鍵器件備受關注的SiC功率器件卻面臨着難以同時減小尺寸並降低損耗的難題。對此，ROHM開發出TRCDRIVE pack?，可以解決動力系統中的這一課題。

TRCDRIVE pack?是牽引逆變器驅動用SiC封裝型模塊的專用商標，標有該商標的產品利用ROHM自有的結構，更大程度地擴大了散熱面積，從而實現了緊湊型封裝。另外，新產品還搭載了低導通電阻的第4代SiC MOSFET，實現了是普通SiC封裝型模塊1.5倍的業界超高功率密度，非常有助於xEV逆變器的小型化。

此外，該模塊在模塊頂部配備了“Press fit pin”方式的控制用信號引腳，因此只需從頂部按壓柵極驅動器電路板即可完成連接，有助於減少安裝工時。不僅如此，還通過儘可能擴大主電流佈線中的電流路徑和採用雙層佈線結構，降低了電感值(5.7nH)，從而有助於降低開關時的損耗。

該產品雖然是模塊產品，但目前已經確立了類似於分立產品的量產體系，與以往普通的SiC殼體型模塊相比，產能提高了約30倍。新產品將於2024年6月開始暫以月產10萬個的規模投入量產(樣品價格：75,000日元/個，不含稅)。前道工序的生產基地爲ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)和藍碧石半導體宮崎工廠(日本宮崎縣)，後道工序的生產基地爲ROHM總部工廠(日本京都府)。如需樣品或瞭解相關事宜，請聯繫ROHM銷售代表或通過ROHM官網的“聯繫我們”垂詢。

1 / 4<產品陣容>

關於TRCDRIVE pack?的產品陣容，ROHM計劃在2024年內開發出封裝尺寸(Small / Large)和安裝模式(TIM：heat dissipation sheet / Ag Sinter)不同的共12款產品。此外，目前ROHM正在開發模塊內配有散熱器的六合一產品，這將有助於加快符合規格要求的牽引逆變器設計速度和產品陣容擴展。

<應用示例>

車載牽引逆變器

<支持信息>

ROHM擁有在公司內部進行電機測試的設備，可在應用層面提供強力支持。爲了加快TRCDRIVE pack?產品的評估和應用，ROHM還提供各種支持資源，其中包括從仿真到熱設計的豐富解決方案，助力客戶快速採用TRCDRIVE pack?產品。另外，ROHM還提供雙脈衝測試用和三相全橋用的兩種評估套件，支持在接近實際電路條件的狀態下進行評估。如需瞭解更多信息，請聯繫ROHM的銷售代表或通過ROHM官網的“聯繫我們”垂詢。

<關於“EcoSiC?”品牌>

EcoSiC?是採用了因性能優於硅(Si)而在功率元器件領域備受關注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。從晶圓生產到製造工藝、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外，ROHM在製造過程中採用的是一貫制生產體系，目前已經確立了SiC領域先進企業的地位。

TRCDRIVE pack?和EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

<術語解說>

1) 牽引逆變器

電動汽車的驅動電機採用的是相位差爲120度的三相交流電驅動。將來自電池的直流電轉換爲交流電以實現這種三相交流電的逆變器即牽引逆變器。

2) 二合一

要將直流電轉換爲三相交流電，每相各需要一箇高邊MOSFET和一箇低邊MOSFET進行開關工作。將這兩個MOSFET組合成一箇模塊的結構稱爲“二合一”。